RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3474
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link