RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3693
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link