RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
66
Wokół strony -187% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2942
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link