RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3193
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link