RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3774
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link