RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3480
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link