RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
85
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
85
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1118
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link