RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2876
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link