RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
66
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
47
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2308
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link