RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
66
Wokół strony -187% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3156
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link