RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
101
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
101
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1313
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link