RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2974
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link