RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3583
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link