RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3555
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link