RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3755
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link