RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3911
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link