RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3542
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link