RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2664
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link