RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
73
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1838
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link