RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3691
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link