RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3722
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link