RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3890
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link