RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2600
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link