RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
71
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1757
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link