RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
74
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
74
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1779
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
INTENSO 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link