RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2591
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link