RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
UMAX Technology 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link