RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2474
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link