RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2900
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link