RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2767
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link