RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1875
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link