RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Porównaj
AMD R332G1339U1S 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
AMD R332G1339U1S 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R332G1339U1S 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
81
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
81
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1096
1460
AMD R332G1339U1S 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link