RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
34
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
34
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2780
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5471-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link