RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
22
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
22
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2611
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link