RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
72
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
72
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
1951
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link