RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2281
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link