RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3005
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link