RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3597
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link