RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3404
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link