RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3510
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link