RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
26
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3623
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link