RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2734
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link