RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2659
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link