RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
62
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2710
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link