RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1836
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link