RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3115
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link