RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3609
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link