RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3703
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link