RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3723
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link