RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3736
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link